海之美文新闻资讯移动DDR
Mobile DDR（也称MDDR、Low Power DDR或LPDDR）是DDR SDRAM的一种，专门用于移动式电子产品，例如手机等。
基本介绍
- 中文名：移动DDR
- 外文名：MDDR
- 领域：计算机
简介
DDR记忆体从DDR、DDR2、DDR3发展到DDR4，频率更高、电压更低的同时却也让反应时间不断变大，改变着记忆体子系统。而DDR4最重要的使命是提高频率和频宽，每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的频宽，拥有高达4266MHz的频率，记忆体容量最大可达到128GB，运行电压正常可降低到1.1V~1.2V。
相对于DDR记忆体,MDDR具有低功耗、高可靠性的特点，目前韩国三星与美光科技（Micron Technology）掌握该项技术。AppleiPad,Samsung Galaxy Tab以及Motorola Droid X都使用LPDDR。
MDDR的运行电压（工作电压）相比DDR的标準电压要低，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。其中LPDDR4可提供32Gbps的频宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。至于最新的LPDDR4X，与LPDDR4相同，只是通过将I/O电压降低到0.6V而不是1.1V来节省额外的功耗，也就是更省电。
LPDDR2
一个新的JEDEC标準JESD209-2F定义了low-power DDR接口标準。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容，但类似：
- LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，
- LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或
- LPDDR2-N: 非易失性（NAND）记忆体。
低功耗状态基本相似，LPDDR，一些额外的部分数组更新选项。
LPDDR2也有一个低电平有效的chip select（高时，一切都是NOP）和时钟（clock）打开CKE信号，操作像SDRAM。
- 如果晶片被激活（active），它冻结（freeze）到位。
- 如果该命令是一个NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空闲。
- 如果该命令是一个更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片进入自更新状态。
- 如果该命令是一个突发终止（CA0 - 2 = HHL），晶片进入深断电状态。 （完全复位序列时，需要离开。）
LPDDR3
2012年5月，JEDEC公布JESD209-3低功耗记忆设备标準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的数据传输速率、更高的频宽与功率效率。LPDDR3可达到1600 MT/s的数据传输速率，并利用关键的新技术write-leveling、command/address training、选择性ODT（On Die Termination）与低I/O电容。LPDDR3支持PoP封装（package-on-package）与离散封装两种形式。
LPDDR4
2013年3月14日，JEDEC固态技术协会举办会议，探讨未来移动设备的新标準，如LPDDR4。