本书是哈尔滨工业大学“国家积体电路人才培养基地”教学建设成果，系统地介绍了硅积体电路製造当前普遍採用的工艺技术，全书分5个单元。第1单元介绍硅衬底，主要介绍硅单晶的结构特点，单晶硅锭的拉制及硅片（包含体硅片和外延硅片）的製造工艺及相关理论。第2～5单元介绍硅晶片製造基本单项工艺（氧化与掺杂、薄膜製备、光刻、工艺集成与封装测试）的原理、方法、设备，以及所依託的技术基础及发展趋势。附录A介绍以製作双极型电晶体为例的微电子生产实习，双极型电晶体的全部工艺步骤与检测技术；附录B介绍工艺模拟知识和SUPREM软体。附录部分可帮助学生从理论走向生产实践，对微电子产品製造技术的原理与工艺全过程有更深入的了解。

本书可作为普通高校电子科学与技术、微电子学与固体电子学、微电子技术、积体电路设计及集成系统等专业的专业课教材，也可作为积体电路晶片製造企业工程技术人员的参考书。

本书是哈尔滨工业大学“国家积体电路人才培养基地”教学建设成果。本类图书（教材）市面上品种少，写作门槛高。本书是作者基于十多年的讲义改编。

本书知识体系完整，附录部分附有积体电路工艺实习内容及相应软体介绍，给出典型产品的工艺流程。

提供PPT、典型工艺的录像和FLASH、积体电路工艺实验讲义、相关实验技术资料等教辅支持。

第0章绪论

0.1何谓积体电路工艺

0.2积体电路製造技术发展历程

0.3积体电路製造技术特点

0.4本书内容结构

第1单元硅衬底

第1章单晶硅特性

1.1硅晶体的结构特点

1.2硅晶体缺陷

1.3硅晶体中的杂质

本章小结

第2章硅片的製备

2.1多晶硅的製备

2.2单晶硅生长

2.3切制硅片

本章小结

第3章外延

3.1概述

3.2气相外延

3.3分子束外延

3.4其他外延方法

3.5外延缺陷与外延层检测

本章小结

单元习题

第2单元氧化与掺杂

第4章热氧化

4.1二氧化硅薄膜概述

4.2硅的热氧化

4.3初始氧化阶段及薄氧化层製备

4.4热氧化过程中杂质的再分布

4.5氧化层的质量及检测

4.6其他氧化方法

本章小结

第5章扩散

5.1扩散机构

5.2晶体中扩散的基本特点与巨观动力学方程

5.3杂质的扩散掺杂

5.4热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素

5.5扩散工艺条件与方法

5.6扩散工艺质量与检测

5.7扩散工艺的发展

本章小结

第6章离子注入

6.1概述

6.2离子注入原理

6.3注入离子在靶中的分布

6.4注入损伤

6.5退火

6.6离子注入设备与工艺

6.7离子注入的其他套用

6.8离子注入与热扩散比较及掺杂新技术

本章小结

单元习题

第3单元薄 膜 制 备

第7章化学气相澱积

7.1CVD概述

7.2CVD工艺原理

7.3CVD工艺方法

7.4二氧化硅薄膜的澱积

7.5氮化硅薄膜澱积

7.6多晶硅薄膜的澱积

7.7CVD金属及金属化合物薄膜

本章小结

第8章物理气相澱积

8.1PVD概述

8.2真空系统及真空的获得

8.3真空蒸镀

8.4溅射

8.5PVD金属及化合物薄膜

本章小结

单元习题

第4单元光刻

第9章光刻工艺

9.1概述

9.2基本光刻工艺流程

9.3光刻技术中的常见问题

本章小结

第10章光刻技术

10.1光刻掩膜版的製造

10.2光刻胶

10.3光学解析度增强技术

10.4紫外光曝光技术

10.5其他曝光技术

10.6光刻设备

本章小结

第11章刻蚀技术

11.1概述

11.2湿法刻蚀

11.3乾法刻蚀

11.4刻蚀技术新进展

本章小结

单元习题

第5单元工艺集成与封装测试

第12章工艺集成

12.1金属化与多层互连

12.2CMOS积体电路工艺

12.3双极型积体电路工艺

本章小结

第13章工艺监控

13.1概述

13.2实时监控

13.3工艺检测片

13.4集成结构测试图形

本章小结

第14章封装与测试

14.1晶片封装技术

14.2积体电路测试技术

本章小结

单元习题

附录A微电子器件製造生产实习

A .1硅片电阻率测量

A .2硅片清洗

A .3一次氧化

A .4氧化层厚度测量

A .5光刻腐蚀基区

A .6硼扩散

A .7pn结结深测量

A .8光刻腐蚀发射区

A .9磷扩散

A .10光刻引线孔

A .11真空镀铝

A .12反刻铝

A .13合金化

A .14中测

A .15划片

A .16上架烧结

A .17压焊

A .18封帽

A .19电晶体电学特性测量

附录B SUPREM 模拟

B .1SUPREM软体简介

B .2氧化工艺

B .3扩散工艺

B .4离子注入

参考文献()