积体电路在製造过程中需要在晶圆片的表面上生长数层材质不同、厚度不同的膜层，其中有导电膜层以及绝缘膜层，这些膜层的製备对于积体电路的製造非常重要。薄膜生长技术，也可称作製作膜层的方法，薄膜生长技术有很多，不同作用，不同位置的薄膜生长技术不同，如热氧化、化学气相沉积和物理气相沉积。

凡是物质与氧发生化学反应生成氧化物的方法都是氧化法，二氧化硅的生长方法有很多，如热氧化、热分解沉澱、蒸发等。由于热氧法的氧化反应发生在硅—二氧化硅交界面，接触到的杂质少，生成的二氧化硅氧化膜质量较高，因此在积体电路中通常使用热氧法生成氧化膜。热氧化法是指晶圆片与含氧物质（氧、水等）在高温下进行反应生成二氧化硅膜的方法。根据氧化剂的不同，热氧化法主要分为乾氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化法三种，其中乾氧氧化和湿氧氧化是最常用的方法。乾氧氧化法採用纯氧作为氧化剂，生长的氧化膜表面乾燥、结构緻密、光刻时与光刻胶接触良好，但氧化速度慢。湿氧氧化法的氧化剂是高纯水的氧气，既含有氧，又含有水汽，氧化速度较快，但生成的氧化膜质量不如乾氧氧化法。在实际生成过程中，通常採用乾-湿乾相结合的氧化方式。

物理气相沉积（Physical vapor deposition，PVD）是一种工业製造上的工艺，是主要利用物理过程来沉积薄膜的技术，即真空镀膜（蒸镀），多用在钣金件、蚀刻件、挤压件、金属射出成型（MIM）、粉末射出成型（PIM）、机加件和焊接件等零件的工艺上。

和化学气相沉积相比，物理气相沉积适用範围广泛，几乎所有材料的薄膜都可以用物理气相沉积来製备，但是薄膜厚度的均匀性是物理气相沉积中的一个问题。主要的物理气相沉积的方法有：热蒸镀、溅镀、和脉冲雷射沉积等。溅射（sputtering），也称溅镀（sputter deposition/coating），是一种物理气相沉积技术，指固体靶"target"（或源"source"）中的原子被高能量离子（通常来自电浆）撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射一般是在充有惰性气体的真空系统中，通过高压电场的作用，使得氩气电离，产生氩离子流，轰击靶阴极，被溅出的靶材料原子或分子沉澱积累在半导体晶片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。

脉冲雷射沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲雷射烧蚀（英语：pulsed laser abalation，PLA）为物理气相沉积(英语：Physical Vapor Deposition，PVD)的一种 , 是一种利用聚焦后的高功率脉冲雷射于真空腔体中对靶材进行轰击，由于雷射能量强，会将靶材汽化形成等离子蕈状团(plasma plume)，并沉澱于基板上形成薄膜。

于镀膜可于高真空、超高真空或通入工作气体(如欲沉积氧化物薄膜，通常会通入氧气作为其工作气体)的环境下进行。

于脉冲雷射沉积的过程中，雷射的能量被靶材吸收之后，能量首先激发靶材内部的电子跃迁，之后再转成热能等使靶材汽化形成等离子态，于等离子云中，包含分子、原子、电子、离子、微粒、融球体等物质。

化学气相沉积（chemical vapor deposition，简称CVD）是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。半导体产业使用此技术来成长薄膜。典型的CVD工艺是将晶圆（基底）暴露在一种或多种不同的前趋物下，在基底表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中通常也会伴随地产生不同的副产品，但大多会随着气流被带走，而不会留在反应腔（reaction chamber）中。

微製程大都使用CVD技术来沉积不同形式的材料，包括单晶、多晶、非晶及外延材料。这些材料有硅、碳纤维、碳奈米纤维、奈米线、奈米碳管、SiO2、硅锗、钨、硅碳、氮化硅、氮氧化硅及各种不同的high-k介质等材料。CVD製程也常用来生成合成钻石。

以反应时的压力分类

常压化学气相沉积（Atmospheric Pressure CVD，APCVD）：在常压环境下的CVD工艺。

低压化学气相沉积（Low-pressure CVD，LPCVD）：在低压环境下的CVD工艺。降低压力可以减少不必要的气相反应，以增加晶圆上薄膜的一致性。大部分现今的CVD工艺都是使用LPCVD或UHVCVD。

超高真空化学气相沉积（Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD：在非常低压环境下的CVD工艺。大多低于10-6 Pa (约为10-8 torr）。注：在其他领域，高真空和超高真空大都是指同样的真空度，约10-7 Pa。

以气相的特性分类

气溶胶辅助气相沉积（Aerosol assisted CVD，AACVD）：使用液体/气体的气溶胶的前驱物成长在基底上，成长速非常快。此种技术适合使用非挥发的前驱物。

直接液体注入化学气相沉积（Direct liquid injection CVD，DLICVD）：使用液体（液体或固体溶解在合适的溶液中）形式的前驱物。液相溶液被注入到蒸发腔里变成注入物。接着前驱物经由传统的CVD技术沉积在基底上。此技术适合使用液体或固体的前驱物。此技术可达到很多的成长速率。