
施敏(微电子专家、美国工程院院士)
施敏,1936年3月21日出生于中国南京,微电子科学技术、半导体器件物理专家,台湾中央研究院院士、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士,台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授。
1957年施敏毕业于台湾大学,之后赴美留学;1960年获得华盛顿大学硕士学位;1963年获得史丹福大学电机博士学位后进入贝尔实验室工作,在此工作直到1989年退休;1967年发明了非挥发性记忆体,第一次阐述了快闪记忆体存储数据的原理技术;1968年回到台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年;1969年编着的《半导体元件物理学》第一版出版;1990年退休后于台湾交通大学电子工程系任教;1994年当选为台湾中央研究院院士;1995年当选为美国国家工程院院士;1998年当选为中国工程院外籍院士;2004年担任台湾奈米元件实验室资深顾问;2014年受聘为哈尔滨工业大学荣誉教授。
施敏主要研究微电子科学技术与半导体器件,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
基本介绍
- 中文名:施敏
- 外文名:Simon M·Sze
- 国籍:美国
- 出生地:中国江苏省南京市
- 出生日期:1936年03月21日
- 职业:教学科研工作者
- 毕业院校:史丹福大学
- 主要成就:1994年当选为台湾中央研究院院士
1995年当选为美国国家工程院院士
1998年当选为中国工程院外籍院士
人物经历
1936年3月21日,施敏出生于中国江苏省南京市,之后随家人前往台湾,父亲施家福在台湾省立台北工业专科学校(现台北科技大学)矿冶工程科任教。
1957年,毕业于台湾大学电机系,之后赴美留学。1960年,获得华盛顿大学电机系硕士学位。
1963年,获得史丹福大学电机系博士学位,博士毕业后,在史丹福大学教授John Moll推荐下进入贝尔实验室工作,在此工作直到1989年退休。
1966年夏,施敏在台湾学界的邀请下回到台湾讲课,在台湾清华大学暑期举办了两个月的讲座。
1968年,选择留职停薪,把贝尔实验室的工作停摆了下来,回到台湾于台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年,在电子研究所开设《半导体元件物理》、《固态电子元件实验》两门课程。
1969年初,以论文《金属半导体薄膜结构之特性》获得中山学术着作奖。同年7月参与创办台湾第一家半导体公司环宇电子股份有限公司,担任技术顾问,而任职的工程人员包括宏碁集团创始人施振荣。
1989年,自贝尔实验室退休。1990年,开始于台湾交通大学电子工程系任教,担任电子与资讯研究中心主任。1991年,获得电气和电子工程师协会电子器件Ebers奖。
1994年,当选为台湾中央研究院院士(数理组)。1995年,当选为美国国家工程院院士。1998年,当选为中国工程院外籍院士。
1998年,担任台湾奈米元件实验室主任(至2004年)。2004年,担任台湾奈米元件实验室资深顾问。
主要成就
科研成就
1967年,施敏与韩裔美国人姜大元(Dawon Kahng)休息吃甜点时,用了一层又一层的涂酱,触动施敏与他二人的灵感,想到在金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)中间加一层金属层,结果发明了非挥发性记忆体(Flash),5月两人在《贝尔系统科技期刊》(The Bell System Technical Journal)上发表第一篇关于非挥发性记忆体的论文“浮闸非挥发性半导体记忆体细胞元件”,第一次阐述了快闪记忆体存储数据的原理技术,随后由贝尔实验室取得专利。
1969年,施敏编着的《半导体元件物理学》(Physics of Semiconductor Devices)第一版出版,之后被翻译成六国文字,被广泛用作教科书与参考书。
1970年代,时任台湾经济部长孙运璿邀请施敏担任“经济部发展积体电路计画工作小组”成员之一,施敏所提出的最关键建言,就是力荐孙运璿要推动半导体业。
20世纪80年代初,施敏首先以电子束製造出线宽为0.15μm MOSFET器件,首先发现崩溃电压与能隙的关係,建立了微电子元件最高电场的指标。
主要着作
时间 | 名称 | 出版社 | 页数 |
---|---|---|---|
1969 | 《Physics of Semiconductor Devices》 | Wiley Interscience,New York | 812 |
1981 | 《Physics of Semiconductor Devices 2nd Ed.》 | Wiley Interscience,New York | 868 |
1985 | 《Semiconductor Devices: Physics and Technology》 | Wiley, New York | 523 |
1991 | 《Semiconductor Devices: Pioneering Papers》 | World Scientific, Singapore | 1003 |
1994 | 《Semiconductor Sensors》 | Wiley Interscience,New York | 550 |
1996 | 《ULSI Technology》with C.Y.Chang | McGraw Hill, New York | 726 |
1998 | 《Modern Semiconductor Device Physics》 | Wiley Interscience,New York | 555 |
2000 | 《ULSI Devices》with C.Y.Chang | Wiley Interscience,New York | 729 |
2002 | 《Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd Ed.》 | Wiley, New York | 564 |
2003 | 《Fundamentals of Semiconductor Fabrication》with G.May | Wiley, New York | 305 |
人才培养
1968年,台湾设立工程博士班,施敏担任首位工程博士候选人张俊彦的论文导师,1970年张俊彦以《金属半导体接口载子传导》为论文题目,通过口试成为台湾第一位工程博士。指导的学生卢超群1999年当选为美国国家工程学院院士。
2003年以来,施敏在中国内地高校,包括西安交通大学、北京交通大学、东北大学、吉林大学、山东大学、苏州大学和安徽大学,开设“半导体物理和设备”这门课程,该课程主要是为了培养更多的中国学生参与到半导体设备领域。
2005年,在上海交通大学开设了一门INTENSIVE COURSE,为期三周共18节课。
荣誉表彰
时间 | 荣誉/表彰 | 参考资料 |
---|---|---|
1969年 | 中山学术奖 | |
1977年 | 电气和电子工程师协会(IEEE)会士 | |
1991年 | IEEE电子器件Ebers奖(J.J. Ebers Award) | |
1994年 | 台湾中央研究院院士(数理组) | |
1995年 | 美国国家工程院院士 | |
1997年 | 行政院杰出科技荣誉奖 | |
1998年 | 中国工程院外籍院士 | |
2007年 | 经济部大学产业经济终身成就奖 | |
2014年7月 | 工业技术研究院院士 | |
2014年 | Flash Memory Summit Lifetime Achievement Award | |
2017年12月 | IEEE2017年度“尊荣会员” |
社会任职
时间 | 担任职务 | 参考资料 |
---|---|---|
1974年 | 工业技术研究院电子研究所顾问 | |
1976年 | 台湾经济部发展积体电路计画工作小组委员 | |
1990年-2006年 | 台湾交通大学特聘讲座教授 | |
1998年-2007年 | 工业技术研究院前瞻技术指导委员会委员 | |
2003年- | 上海交通大学名誉教授 | |
2007年-2010年 | 台湾交通大学荣誉教授 | |
2010年6月- | 台湾交通大学终身讲座教授 | |
2014年5月14日 | 哈尔滨工业大学荣誉教授 | |
2014年6月- | 台湾科技大学荣誉讲座教授 | |
—— | 台湾中山大学荣誉讲座教授 |
人物评价
施敏是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,是非挥发MOS场效应记忆电晶体(NVSM)的发明者,在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。(2017 IEDM Plenary Awards评)
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