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施敏(微电子专家、美国工程院院士)

施敏(微电子专家、美国工程院院士)

施敏(微电子专家、美国工程院院士)

施敏,1936年3月21日出生于中国南京,微电子科学技术、半导体器件物理专家,台湾中央研究院院士、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士,台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授。

1957年施敏毕业于台湾大学,之后赴美留学;1960年获得华盛顿大学硕士学位;1963年获得史丹福大学电机博士学位后进入贝尔实验室工作,在此工作直到1989年退休;1967年发明了非挥发性记忆体,第一次阐述了快闪记忆体存储数据的原理技术;1968年回到台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年;1969年编着的《半导体元件物理学》第一版出版;1990年退休后于台湾交通大学电子工程系任教;1994年当选为台湾中央研究院院士;1995年当选为美国国家工程院院士;1998年当选为中国工程院外籍院士;2004年担任台湾奈米元件实验室资深顾问;2014年受聘为哈尔滨工业大学荣誉教授。

施敏主要研究微电子科学技术与半导体器件,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

基本介绍

  • 中文名:施敏
  • 外文名:Simon M·Sze
  • 国籍:美国
  • 出生地:中国江苏省南京市
  • 出生日期:1936年03月21日
  • 职业:教学科研工作者
  • 毕业院校:史丹福大学
  • 主要成就:1994年当选为台湾中央研究院院士
    1995年当选为美国国家工程院院士
    1998年当选为中国工程院外籍院士

人物经历

1936年3月21日,施敏出生于中国江苏省南京市,之后随家人前往台湾,父亲施家福在台湾省立台北工业专科学校(现台北科技大学)矿冶工程科任教。
1957年,毕业于台湾大学电机系,之后赴美留学。1960年,获得华盛顿大学电机系硕士学位。
1963年,获得史丹福大学电机系博士学位,博士毕业后,在史丹福大学教授John Moll推荐下进入贝尔实验室工作,在此工作直到1989年退休。
1966年夏,施敏在台湾学界的邀请下回到台湾讲课,在台湾清华大学暑期举办了两个月的讲座。
1968年,选择留职停薪,把贝尔实验室的工作停摆了下来,回到台湾于台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年,在电子研究所开设《半导体元件物理》、《固态电子元件实验》两门课程。
1969年初,以论文《金属半导体薄膜结构之特性》获得中山学术着作奖。同年7月参与创办台湾第一家半导体公司环宇电子股份有限公司,担任技术顾问,而任职的工程人员包括宏碁集团创始人施振荣。
1989年,自贝尔实验室退休。1990年,开始于台湾交通大学电子工程系任教,担任电子与资讯研究中心主任。1991年,获得电气和电子工程师协会电子器件Ebers奖。
1994年,当选为台湾中央研究院院士(数理组)。1995年,当选为美国国家工程院院士。1998年,当选为中国工程院外籍院士。
1998年,担任台湾奈米元件实验室主任(至2004年)。2004年,担任台湾奈米元件实验室资深顾问。

主要成就

科研成就

1967年,施敏与韩裔美国人姜大元(Dawon Kahng)休息吃甜点时,用了一层又一层的涂酱,触动施敏与他二人的灵感,想到在金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)中间加一层金属层,结果发明了非挥发性记忆体(Flash),5月两人在《贝尔系统科技期刊》(The Bell System Technical Journal)上发表第一篇关于非挥发性记忆体的论文“浮闸非挥发性半导体记忆体细胞元件”,第一次阐述了快闪记忆体存储数据的原理技术,随后由贝尔实验室取得专利。
1969年,施敏编着的《半导体元件物理学》(Physics of Semiconductor Devices)第一版出版,之后被翻译成六国文字,被广泛用作教科书与参考书。
1970年代,时任台湾经济部长孙运璿邀请施敏担任“经济部发展积体电路计画工作小组”成员之一,施敏所提出的最关键建言,就是力荐孙运璿要推动半导体业。
20世纪80年代初,施敏首先以电子束製造出线宽为0.15μm MOSFET器件,首先发现崩溃电压与能隙的关係,建立了微电子元件最高电场的指标。
主要着作
时间名称出版社页数
1969
《Physics of Semiconductor Devices》
Wiley Interscience,New York
812
1981
《Physics of Semiconductor Devices 2nd Ed.》
Wiley Interscience,New York
868
1985
《Semiconductor Devices: Physics and Technology》
Wiley, New York
523
1991
《Semiconductor Devices: Pioneering Papers》
World Scientific, Singapore
1003
1994
《Semiconductor Sensors》
Wiley Interscience,New York
550
1996
《ULSI Technology》with C.Y.Chang
McGraw Hill, New York
726
1998
《Modern Semiconductor Device Physics》
Wiley Interscience,New York
555
2000
《ULSI Devices》with C.Y.Chang
Wiley Interscience,New York
729
2002
《Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd Ed.》
Wiley, New York
564
2003
《Fundamentals of Semiconductor Fabrication》with G.May
Wiley, New York
305

人才培养

1968年,台湾设立工程博士班,施敏担任首位工程博士候选人张俊彦的论文导师,1970年张俊彦以《金属半导体接口载子传导》为论文题目,通过口试成为台湾第一位工程博士。指导的学生卢超群1999年当选为美国国家工程学院院士。
2003年以来,施敏在中国内地高校,包括西安交通大学、北京交通大学、东北大学、吉林大学、山东大学、苏州大学和安徽大学,开设“半导体物理和设备”这门课程,该课程主要是为了培养更多的中国学生参与到半导体设备领域。
2005年,在上海交通大学开设了一门INTENSIVE COURSE,为期三周共18节课。

荣誉表彰

时间荣誉/表彰参考资料
1969年
中山学术奖
1977年
电气和电子工程师协会(IEEE)会士
1991年
IEEE电子器件Ebers奖(J.J. Ebers Award)
1994年
台湾中央研究院院士(数理组)
1995年
美国国家工程院院士
1997年
行政院杰出科技荣誉奖
1998年
中国工程院外籍院士
2007年
经济部大学产业经济终身成就奖
2014年7月
工业技术研究院院士
2014年
Flash Memory Summit Lifetime Achievement Award
2017年12月
IEEE2017年度“尊荣会员”

社会任职

时间担任职务参考资料
1974年
工业技术研究院电子研究所顾问
1976年
台湾经济部发展积体电路计画工作小组委员
1990年-2006年
台湾交通大学特聘讲座教授
1998年-2007年
工业技术研究院前瞻技术指导委员会委员
2003年-
上海交通大学名誉教授
2007年-2010年
台湾交通大学荣誉教授
2010年6月-
台湾交通大学终身讲座教授
2014年5月14日
哈尔滨工业大学荣誉教授
2014年6月-
台湾科技大学荣誉讲座教授
——
台湾中山大学荣誉讲座教授

人物评价

施敏是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家,是非挥发MOS场效应记忆电晶体(NVSM)的发明者,在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献,在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。(2017 IEDM Plenary Awards评)

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