当电流通过字线和位线时，在共存点处字线和位线产生的磁场大致对齐。因此结果得到的场的磁化强度大于传统正交取向场。由于增加了字线和位线产生的场，可使用更小的字线和位线电流，这降低了存储器阵列需要的尺寸。存储器阵列还可利用具有用于产生横向磁场的磁性层的存储器单元。横向场与字线和位线产生的磁场正交取向，并且增加存储器单元的转换的可重複性。横向场还减少转换存储器单元所需的电流。